TI(德州仪器) MOS(场效应三极管) CSD86330Q3D 封装:LSON-8 PN:CSD86330Q3D

商品编号：OK000000165346

型号：CSD86330Q3D

封装/规格：LSON-8

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：TI(德州仪器)

三极管类型：NPN

型号PN：CSD86330Q3D

描述：漏源电压(VDSS) 25V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 20A 栅源极阈值电压 2.1V 流明 250UA 漏源导通电阻 9.6MΩ 流明 14A 8V 最大功率耗散(TA=25°C) 6W 类型 双N沟道(半桥) 同步降压 NEXFET? 电源块 MOSFET 对