CJ(长晶科技) MOS(场效应三极管) CJAE2002 封装:DFNWB3x3-8L-J PN:CJAE2002

商品编号：OK000000163264

型号：CJAE2002

封装/规格：DFNWB3x3-8L-J

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：CJ(长晶科技)

三极管类型：NPN

型号PN：CJAE2002

描述：漏源电压(VDSS) 18V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 15A 栅源极阈值电压 1V 流明 250UA 漏源导通电阻 5.5MΩ 流明 3A 4.5V 最大功率耗散(TA=25°C) 3W 类型 双N沟道(共漏)