ON(安森美) 直插MOS(场效应三极管)1 NTD20P06LT4G 封装:TO-252-3 PN:NTD20P06LT4G
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商品编号:OK000000168799
型号:NTD20P06LT4G
封装/规格:TO-252-3
封装类型:直插
产品类型:直插 MOS(场效应三极管)1
品牌/产地:ON(安森美)
三极管类型:PNP
型号PN:NTD20P06LT4G
描述:漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 15.5A 栅源极阈值电压 2V 流明 250UA 漏源导通电阻 150MΩ 流明 7.5A 5V 最大功率耗散(TA=25°C) 65W(TC) 类型 P沟道 P沟道 -60V -15.5A
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