ON(安森美) 贴片MOS(场效应三极管) NVD5C632NLT4G 封装:DPAK PN:NVD5C632NLT4G

商品编号：OK000000168339

型号：NVD5C632NLT4G

封装/规格：DPAK

封装类型：贴片

产品类型：贴片 MOS(场效应三极管)

品牌/产地：ON(安森美)

三极管类型：NPN

型号PN：NVD5C632NLT4G

描述：漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 29A 栅源极阈值电压 2.1V 流明 250UA 漏源导通电阻 2.5MΩ 流明 50A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 4W 类型 N沟道 N沟道 60V 3.4MΩ流明4.5V