VBsemi(台湾微碧) MOS(场效应三极管) VBM2610N 封装:TO-220AB PN:VBM2610N

商品编号：OK000000167319

型号：VBM2610N

封装/规格：TO-220AB

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：VBsemi(台湾微碧)

三极管类型：PNP

型号PN：VBM2610N

描述：漏源电压(VDSS) 60V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 20A 栅源极阈值电压 3V 流明 250UA 漏源导通电阻 62MΩ 流明 20A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 60W 类型 P沟道