HUAYI(华羿微) MOS(场效应三极管) HY1906D 封装:TO-252-2 PN:HY1906D

商品编号：OK000000163998

型号：HY1906D

封装/规格：TO-252-2

产品类型： MOS(场效应三极管)

品牌/产地：HUAYI(华羿微)

三极管类型：NPN

型号PN：HY1906D

描述：漏源电压(VDSS) 68V 连续漏极电流(ID)(25°C 时) 70A(TC) 栅源极阈值电压 4V 流明 250UA 漏源导通电阻 8.5MΩ 流明 35A 10V 最大功率耗散(TA=25°C) 75W(TC) 类型 N沟道